Bfq19s データシート

Author: kjel

August undefined, 2024

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WebBFQ19S H6327 ElectronicsはYICディストリビューターの新しいオリジナル在庫です。同日発送。 BFQ19S H6327 PDFデータシートと価格を表示します。 RFQ BFQ19S H6327 International Rectifier (Infineon Technologies)オンライン。 WebBFQ19S 製品詳細 NPN Silicon RF Transistor* • For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz at collector … maritafilmenWebBFQ19S データシート(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG : zoom in zoom out 1 / 4 page. BFQ19S. Jun-22-2001. 1. NPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband. amplifiers in antenna and. telecommunications systems up to 1.5 GHz. at collector currents from 10 mA to 70 mA. 2. 1. 3. marita franzen

"WebBFQ19S Electrical Characteristics at T A = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. AC Characteristics (verified by random sampling) Transition frequency IC = 70 mA, V CE = 8 V, f = 500 MHz fT 4 5.5 - GHz Collector-base capacitance V CB = 10 V, f = 1 MHz, V BE = 0 , emitter grounded C cb - 1.05 1.35 pF " - Bfq19s データシート

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WebBFQ19S Overview NPN Silicon RF Transistor Summary of Features For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 … WebFeb 16, 2024 · 3 Thermal Characteristics Table 4 Thermal Resistance Parameter Symbol Values Unit Note or Test Condition Min. Typ. Max. Junction - soldering point RthJS – 25 – K/W – Figure 1 Absolute Maximum Power Dissipation Pdiss,max vs. Ts Note: In the horizontal part of the derating curve the maximum power dissipation is given

Web発火点ゲル部データなし芯材部 405℃以上芯側面キャップ部＞280℃ 取手部データなし比重ゲル部 1.03 芯材部 1.01-1.07 芯側面キャップ部 0.89-0.92 取手部データなし溶解度水に不溶

WebApr 9, 2024 · Datasheet: BFQ 19S H6327 Datasheet (PDF) ECAD Model: Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool. Learn more about ECAD … daniele riva carabinieriWebBFQ19S Datasheet (PDF)..1. bfq19s.pdf Size:28K _siemens. BFQ 19SNPN Silicon RF Transistor For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz at collector currents from 10 mA to 70 mA CECC-type available: CECC 50 002/259ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe … daniele ritelliWeb製品は限定流通品または工場特別発注品である可能性があります。データシート: BFQ19S データシート (PDF) 製品の比較プロジェクトに追加注記追加在庫状況在庫：在庫 … marita fellerWebBFQ19S Electrical Characteristics at T A = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. AC Characteristics (verified by random sampling) … daniele rizzoWebBFQ19S Datasheet (HTML) - Siemens Semiconductor Group: BFQ19S Product details: NPN Silicon RF Transistor • For low noise, low distortion broadband amplifiers in … marita fostervollWebデータシート: BFQ19SH6327XTSA1 データシート (PDF) ECADモデル: 無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してくだ … daniele riva asugiWebThe BFQ19S H6327 is an NPN Silicon RF Transistor. It is designed for low distortion and low noise broadband amplifiers in telecommunications system and antenna. It provides 10 mA to 70 mA of collector currents up to 1.5 GHz. All BFQ19S H6327 IC is manufactured by the epoxy molded and epitaxial planar process in a surface mount package. marita firchau